DABO
Infineon
Infineon CoolGaN™ 평가 보드 증정 이벤트

인피니언 CoolGaN™으로 설계하는 차세대 배터리 포메이션

배터리 포메이션의 효율·신뢰성·소형화, CoolGaN™ 평가 보드 한 세트로 시작하세요!

이벤트 기간  2026년 6월 15일 ~ 7월 14일
이벤트 참여하기
이벤트 참여하기

⚡ GaN 기술을 직접 검증할 기회!

배터리 포메이션은 배터리 제조의 핵심 공정입니다. 초기 충·방전 과정에서 형성되는 SEI 막의 품질이 배터리의 수명, 용량, 안전성을 사실상 결정하기 때문입니다.

인피니언의 CoolGaN™ 기술은 기존 Si MOSFET 대비 스위칭 손실을 획기적으로 줄여 발열을 낮추고, 높은 전력 밀도로 시스템 소형화를 가능하게 합니다. 동시에 양방향 스위칭 제어로 충·방전 주기를 정밀하게 관리해 제조 변동성을 줄이고 일관된 배터리 품질을 실현합니다.

EVAL_GD_BDS_GaN 평가 보드로 지금 바로 CoolGaN™의 성능을 직접 검증해 보세요.

Event Prize

이벤트 경품 안내

추첨을 통해 인피니언 CoolGaN™ 평가 보드 세트와 투썸플레이스 아메리카노를 드립니다.

주요 경품 — 추첨 지급
CoolGaN™ EVAL_GD_BDS_GaN 평가 보드 + EVAL_IGC017B04SP_GAN 평가 보드
이벤트 종료 후 추첨 지급
EVAL_GD_BDS_GaN 평가 보드
추가 경품 추첨
20
투썸플레이스 아메리카노
이벤트 참여자 중 추첨으로 지급
투썸플레이스 아메리카노
How to Apply

이벤트 참여 방법

1
이벤트 참여하기 클릭
아래 참여 양식으로 이동하세요
2
이벤트 설문조사 작성
6가지 설문 문항에 응답해 주세요
3
이벤트 참여양식 작성
이름·이메일·연락처·회사명을 입력하세요
4
경품 수령 (추첨발송)
이벤트 종료 후 추첨을 통해 경품을 발송합니다
Battery Formation

배터리 포메이션이란?

배터리 포메이션 현장
배터리 제조의 핵심 초기화 공정

배터리 포메이션은 재충전식 배터리를 처음 제조한 뒤 출하 전에 거치는 초기 충·방전 활성화 공정입니다. 단순한 충전이 아니라, 배터리 내부의 전기화학적 구조를 안정화시키는 핵심 제조 단계입니다.

이 과정에서 형성되는 SEI(Solid Electrolyte Interphase) 막의 균일성이 최종 배터리의 수명·용량·안전성을 사실상 결정합니다. 배터리 포메이션 시스템은 AC-DC 단계(프런트엔드)DC-DC 단계(채널 단)로 구성되며, 수백~수천 채널이 병렬로 운용되는 대규모 구성이 일반적입니다.

이처럼 배터리 포메이션은 고정밀 전력 제어와 대규모 채널 운용이 동시에 요구되는 까다로운 환경입니다. 기존 Si MOSFET 기반 솔루션은 스위칭 손실과 발열, 소형화 한계에 직면해 있으며, 이를 극복하기 위해 인피니언의 CoolGaN™ 솔루션이 필요합니다. 높은 전력 밀도, 낮은 손실, 양방향 스위칭 제어를 통해 배터리 포메이션 시스템의 효율과 신뢰성을 한 단계 높일 수 있습니다.
Why CoolGaN™

GaN 기술이 배터리 포메이션에 가져오는 변화

CoolGaN™의 기술적 특성이 배터리 포메이션 현장에서 실질적인 성과로 이어집니다.

기술 특성
스위칭 손실 최소화로 발열 감소
적용 결과
시스템 안정성 및 수명 향상
기술 특성
높은 전력 밀도로 소형화 설계 가능
적용 결과
랙 밀도 향상, 공장 면적 효율 개선
기술 특성
양방향 스위칭 정밀 제어
적용 결과
충·방전 정밀 관리, 일관된 배터리 품질
기술 특성
에너지 효율 향상으로 전력 손실 감소
적용 결과
에너지 비용 절감, 환경 영향 최소화
Product Detail

평가 보드 상세 소개

EVAL_GD_BDS_GaN 보드 실물
Main PCB / Daughter PCB 블록 다이어그램
EVAL_GD_BDS_GaN
최대 120V의 다중 GaN BDS 디바이스용 게이트 드라이버 PCB
65×35mm²의 소형 풋프린트를 가진 평가 보드
다양한 GaN BDS 패키지용 도터 카드 지원
제품명EVAL_GD_BDS_GaN
입력/출력 전압120 VDC
VCC 및 EN 전압5 VDC
절연 게이트 구동 전압 (V_ISO)5 VDC
출력 전류 (Iout)20 A
치수 (활성 영역)65 × 35 mm²
인피니언 부품IEDB7275F (절연 게이트 드라이버),
TLS805B1LD V50 (5V LDO),
ISZ106N12LM6 (120V NMOS)
주요 적용 분야노트북, 스마트폰
Application Form

이벤트 참여 양식

아래 설문조사와 참여 양식을 작성하시면 응모가 완료됩니다.

설문조사
Q1. 신청한 개발보드를 어떤 응용 분야에 적용하고 싶으신가요? (복수 선택 가능)
Q2. 개발보드를 통해 주로 어떤 기능을 검증하고 싶으신가요? (복수 선택 가능)
Q3. 현재 검토 중인 시스템 전압 범위는 어떻게 되시나요? (단일 선택)
Q4. 현재 사용 중이거나 검토 중인 솔루션은 무엇인가요? (복수 선택 가능)
Q5. 개발보드를 활용한 최종 목표는 무엇인가요? (단일 선택)
Q6. 보드 활용을 위한 교육이나 기술 지원이 필요하신가요? (단일 선택)
참여자 정보
e4ds 회원이신가요?

본 이벤트는 국내 엔지니어를 대상으로 하며, 수량 소진 시 조기 마감될 수 있습니다. 수집된 개인정보는 이벤트 운영 목적으로만 활용됩니다.